中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王锦喆获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利互连电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110074150.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权互连电路结构是由王锦喆设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连电路结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种互连电路结构，用于深沟槽电容器，所述深沟槽电容器包括电容沟槽组，包括：前层互连导线，包括：第一前层互连导线，位于所述电容沟槽组的侧上方且与所述电容沟槽组的延伸方向相同；多条第二前层互连导线，位于所述电容沟槽组上且在所述电容沟槽组的延伸方向间隔排布，所述第二前层互连导线横跨所述电容沟槽组且一端与所述第一前层互连导线相连；后层互连导线，位于所述第二前层互连导线和部分所述第一前层互连导线上；若干贯穿导线，排布于所述前层互连导线和后层互连导线之间，形成迂回的互连电路结构。本申请技术方案的互连电路结构可以改善深沟槽电容器在高频下的性能，提高深沟槽电容器的高频适配性。
本发明授权互连电路结构在权利要求书中公布了：1.一种互连电路结构，用于深沟槽电容器，所述深沟槽电容器包括电容沟槽组，其特征在于，包括： 前层互连导线，包括： 第一前层互连导线，位于所述电容沟槽组的侧上方且与所述电容沟槽组的延伸方向相同； 多条第二前层互连导线，位于所述电容沟槽组上且在所述电容沟槽组的延伸方向间隔排布，所述第二前层互连导线横跨所述电容沟槽组且一端与所述第一前层互连导线相连； 后层互连导线，位于所述第二前层互连导线和部分所述第一前层互连导线上； 若干贯穿导线，排布于所述前层互连导线和后层互连导线之间，使信号在所述后层互连导线中传递的方向与在所述前层互连导线中传递的方向相反，形成迂回的互连电路结构。
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