中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司李波获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110063830.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由李波;潘璋;刘琳;唐睿智设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；在所述衬底上形成若干横跨所述鳍部结构的第一伪栅极；在所述衬底上形成介质层，所述介质层还位于所述第一伪栅极的侧壁上，所述介质层表面暴露出若干所述第一伪栅极顶面；在形成所述介质层后，去除若干所述第一伪栅极，在所述介质层内形成若干栅开口；在所述栅开口内形成第二伪栅极；形成栅隔离结构，并且，所述栅隔离结构在第一方向上贯穿至少1个第二伪栅极，所述第一方向垂直于所述第二伪栅极的延伸方向。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构； 在所述衬底上形成若干横跨所述鳍部结构的第一伪栅极； 在所述衬底上形成介质层，所述介质层还位于所述第一伪栅极的侧壁上，所述介质层表面暴露出若干所述第一伪栅极顶面； 在形成所述介质层后，去除若干所述第一伪栅极，在所述介质层内形成若干栅开口； 在所述栅开口内形成第二伪栅极； 形成栅隔离结构，并且，所述栅隔离结构在第一方向上贯穿至少1个第二伪栅极，所述第一方向垂直于所述第二伪栅极的延伸方向； 在形成所述栅隔离结构之后，去除栅开口内的所述第二伪栅极；在去除所述第二伪栅极后，在所述栅开口内形成金属栅极结构。
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