联华电子股份有限公司陈佳宏获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利存储器结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110041163.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器结构及其制造方法是由陈佳宏;叶宇寰;王泉富设计研发完成，并于2021-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括基底、第一介电层、第二介电层、电荷存储层、氧化物层与导体层。第一介电层设置在基底上。第二介电层设置在第一介电层上。电荷存储层设置在第一介电层与第二介电层之间。氧化物层位于电荷存储层的两末端，且设置在第一介电层与第二介电层之间。导体层设置在第二介电层上。上述存储器结构可有效地防止电荷流失，进而可提升存储器元件的数据保存能力与可靠度。
本发明授权存储器结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括： 基底； 第一介电层，设置在所述基底上； 第二介电层，设置在所述第一介电层上； 电荷存储层，设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间； 氧化物层，位于所述电荷存储层的两末端，且设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间； 导体层，设置在所述第二介电层上；以及 隔离结构，位于所述基底中， 其中所述隔离结构的上表面具有凹陷，且所述凹陷邻近于所述基底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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