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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利多阈值逻辑功率器件、制备方法及同时读取多阈值的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011627542.3，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权多阈值逻辑功率器件、制备方法及同时读取多阈值的方法是由季明华;邱金朋;周东杨;李鹏;刘聪慧设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本多阈值逻辑功率器件、制备方法及同时读取多阈值的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多阈值逻辑功率器件、制备方法及同时读取多阈值的方法，通过接触掩膜版可形成具有同一公共的沟槽栅极结构的接触结构阵列，且同组的第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有相同的横向间距，不同组的第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有不同的横向间距，可实现多阀值逻辑状态以存储信息；没有添加额外的工艺步骤即可制备具有不同阈值电压且具有存储信息能力的多阈值逻辑功率器件；阈值电压的数目可灵活设计，以存储多位元的数字信息或模拟信息；内置多阈值电压的MOSFET和IGBT可用于大电流场合，且具有存储信息能力；扫描公共栅极的电压，构建跨导，可便捷的同时读取存储于逻辑功率器件中的多位元信息。

本发明授权多阈值逻辑功率器件、制备方法及同时读取多阈值的方法在权利要求书中公布了：1.一种多阈值逻辑功率器件，其特征在于，所述多阈值逻辑功率器件包括： 第一导电类型外延层； 第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区位于所述第一导电类型外延层内； 第一导电类型源区，所述第一导电类型源区位于所述第二导电类型阱区内； 沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构包括栅极介电层及栅极导电层，所述沟槽栅极结构位于所述第一导电类型外延层内，且贯穿所述第一导电类型源区及第二导电类型阱区； 接触结构，所述接触结构贯穿所述第一导电类型源区以与所述第二导电类型阱区相接触，且所述接触结构包括第二导电类型接触部；其中，所述接触结构构成接触结构阵列，所述接触结构阵列具有同一公共的所述沟槽栅极结构，且所述接触结构阵列由多个接触结构组构成，每个所述接触结构组包括至少两个接触结构，以及在所述接触结构阵列中同组的所述第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有相同的横向间距，不同组的所述第二导电类型接触部的边缘与沟道边缘之间具有不同的横向间距，位于同组中的所述第二导电类型接触部具有相同的掺杂浓度，位于不同组中的所述第二导电类型接触部具有不同的掺杂浓度。

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