广州集成电路技术研究院有限公司汪金宝获国家专利权
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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利硬掩模结构及其制造方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011592338.2，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权硬掩模结构及其制造方法、半导体器件是由汪金宝;许祖荣设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本硬掩模结构及其制造方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种硬掩模结构及其制造方法、半导体器件；所述硬掩模结构包括蚀刻阻挡层100，覆盖在蚀刻阻挡层100上的金属硬掩模层200以及覆盖在金属硬掩模层200上的至少一层缓冲层300；所述缓冲层300采用Si、SiC、SiCN、SiOC、SiOCN以及SiN中至少一种制成。本发明的硬掩模结构及其制造方法、半导体器件通过采用在金属硬掩模层上覆盖形成缓冲层，避免金属硬掩模层遭受损伤，以此解决第一凹槽错配的问题。
本发明授权硬掩模结构及其制造方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种硬掩模结构，其特征在于，所述硬掩模结构包括蚀刻阻挡层100，覆盖在蚀刻阻挡层100上的金属硬掩模层200以及覆盖在金属硬掩模层200上的至少一层缓冲层300； 所述缓冲层300采用Si、SiC、SiCN、SiOC、SiOCN以及SiN中至少一种制成； 所述金属硬掩模层200为TiN层； 所述缓冲层300的厚度大于 所述硬掩模结构还包括覆盖在缓冲层300上的帽层，所述帽层与缓冲层300的蚀刻选择比大于3； 所述硬掩模结构满足如下特征： DcDb≤S 其中，Dc为过蚀刻时帽层蚀刻的厚度相当量；Db为缓冲层厚度；S为帽层和缓冲层300的蚀刻选择比。
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