欣兴电子股份有限公司林溥如获国家专利权
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龙图腾网获悉欣兴电子股份有限公司申请的专利芯片封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011584370.6，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片封装结构及其制作方法是由林溥如;杨凯铭;柯正达设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括芯片、应力缓冲层、第一绝缘层、重配置线路层、第二绝缘层及焊球。芯片具有主动面、背面及周围表面。应力缓冲层覆盖主动面与周围表面，而第一绝缘层配置于芯片的背面上。应力缓冲层的底面切齐于芯片的背面。重配置线路层通过应力缓冲层的开口与芯片电性连接。第二绝缘层覆盖应力缓冲层以及重配置线路层。焊球配置于第二绝缘层的盲孔内，且与重配置线路层电性连接。焊球的顶面突出于第二绝缘层的上表面。本发明的芯片封装结构可有效地保护芯片的边缘，且增加整体的结构强度及结构可靠度。
本发明授权芯片封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 芯片，具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面； 应力缓冲层，覆盖所述芯片的所述主动面与所述周围表面，且具有暴露出所述芯片的部分所述主动面的开口； 第一绝缘层，配置于所述芯片的所述背面上，其中所述应力缓冲层延伸配置于所述第一绝缘层上，且所述应力缓冲层的底面切齐于所述芯片的所述背面； 重配置线路层，配置于所述芯片的所述主动面上，且延伸至所述应力缓冲层的所述开口内，所述重配置线路层通过所述开口与所述芯片电性连接； 第二绝缘层，覆盖位于所述芯片的所述周围表面上的所述应力缓冲层以及所述重配置线路层，且具有暴露出部分所述重配置线路层的盲孔；以及 焊球，配置于所述第二绝缘层的所述盲孔内，且与所述重配置线路层电性连接，所述焊球的顶面突出于所述第二绝缘层的上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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