浙江驰拓科技有限公司徐晓波获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种MRAM读写电压的校准电路及其校准方法、MRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011555229.3，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权一种MRAM读写电压的校准电路及其校准方法、MRAM是由徐晓波;吴爱龙;王龙波;熊保玉设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MRAM读写电压的校准电路及其校准方法、MRAM在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MRAM读写电压的校准电路及其校准方法、MRAM，该校准电路包括设置在MRAM内的发送控制模块、电源管理模块、比较校验模块。发送控制模块依次配置Trim值，将每次配置好的Trim值传输给电源管理模块；电源管理模块对Trim值解析出读写电压值，将读写电压值传输给比较校验模块；比较校验模块比较解析的读写电压值与校准读写电压值是否相等，向发送控制模块发送表征比较结果的反馈信号；发送控制模块在接收到表征读写电压值与校准读写电压值相等的反馈信号时，停止配置Trim值，保存与校准读写电压值相等的读写电压值对应的Trim值。能够将读写电压自修调至预期状态，在芯片内部自行检测MRAM读写电压并自动调整Trim值，直至读写电压达到校准读写电压值。
本发明授权一种MRAM读写电压的校准电路及其校准方法、MRAM在权利要求书中公布了：1.一种MRAM读写电压的校准电路，其特征在于，包括设置在所述MRAM内的发送控制模块、电源管理模块及比较校验模块；其中， 所述发送控制模块依次配置Trim值，并将每次配置好的Trim值传输给所述电源管理模块； 所述电源管理模块对接收到的Trim值解析出读写电压值，并将解析出的读写电压值传输给所述比较校验模块； 所述比较校验模块比较所述电源管理模块解析的读写电压值与校准读写电压值是否相等，并向所述发送控制模块发送表征比较结果的反馈信号； 所述发送控制模块在接收到表征所述读写电压值与校准读写电压值相等的反馈信号时，停止配置Trim值，并保存与所述校准读写电压值相等的读写电压值对应的Trim值。
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