联华电子股份有限公司周志飙获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114679150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011545152.1，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权半导体元件结构及其制造方法是由周志飙设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法，其中该半导体元件结构包括电路基板。第一金属块层设置在所述电路基板上。缓冲层设置在所述第一金属会层上。吸收层设置在所述缓冲层上。第一电极层设置在所述吸收层上。多个压电材料单元设置在所述第一电极层。保护层共形地设置在所述多个压电材料单元上。第二金属块层设置在所述多个压电材料单元的上方，包括第一部件与第二部件。所述第一部件穿过所述保护层设置在所述多个压电材料单元上，当作第二电极层。所述第二部件与所述第一部件同高度，且至少电连接到所述第一电极层。
本发明授权半导体元件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，其特征在于，包括: 电路基板； 第一金属块层，设置在所述电路基板上； 缓冲层，设置在所述第一金属块层上； 吸收层，设置在所述缓冲层上； 第一电极层，设置在所述吸收层上； 多个压电材料单元，设置在所述第一电极层上； 保护层，覆盖所述多个压电材料单元的整个侧壁；以及 第二金属块层，设置在所述多个压电材料单元的上方，包括: 第一部件，通过所述保护层设置在所述多个压电材料单元上，当作第二电极层；以及 第二部件，与所述第一部件同高度，且至少电连接到所述第一电极层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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