三星电子株式会社姜信在获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有竖直护板结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011538276.7，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权具有竖直护板结构的半导体器件是由姜信在;李宇城;李正吉;H·崔;韩赫设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有竖直护板结构的半导体器件在说明书摘要公布了：可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括单元阵列区和贯通电极区；电极堆叠件，其位于衬底上，并且包括电极；竖直结构，其在单元阵列区内穿过电极堆叠件；竖直护板结构，其位于延伸区内，并且围绕贯通电极区；以及绝缘层，其位于由竖直护板结构限定的周边内部，并且与位于电极同一水平。电极可以包括第一突起，其在平面图中在竖直护板结构之间突出。
本发明授权具有竖直护板结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，其包括单元阵列区和延伸区，所述延伸区从所述单元阵列区延伸，并且包括贯通电极区； 电极堆叠件，其位于所述衬底上，所述电极堆叠件包括在所述单元阵列区中交替堆叠的模制层和电极、以及位于所述延伸区中的绝缘层； 竖直结构，其在所述单元阵列区内穿过所述电极堆叠件；以及 竖直护板结构，其位于所述延伸区内，并且穿过所述电极堆叠件，在平面图中，所述竖直护板结构围绕所述贯通电极区， 其中，所述竖直护板结构中的相邻的竖直护板结构之间的距离小于所述竖直结构中的相邻的竖直结构之间的距离， 其中，所述绝缘层位于由所述竖直护板结构限定的周边内部，并且所述绝缘层分别与所述电极中的对应电极位于同一水平，并且 其中，在水平截面图中，所述电极接触所述绝缘层的界面位于所述竖直护板结构之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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