西部数据技术公司B·R·约克获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利用作拓扑绝缘体的铋锑合金获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080281.X，技术领域涉及：G06F12/00；该发明授权用作拓扑绝缘体的铋锑合金是由B·R·约克;黄承业;A·斯普尔;M·格里贝柳克;乐广设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用作拓扑绝缘体的铋锑合金在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SOT设备，该SOT设备包括位于衬底上方的铋锑掺杂物元素BiSbE合金层。该BiSbE合金层用作拓扑绝缘体。该BiSbE合金层包含铋、锑和掺杂物元素。该掺杂物元素是非金属掺杂物元素、金属掺杂物元素和它们的组合。金属掺杂物元素的示例包括Ni、Co、Fe、CoFe、NiFe、NiCo、NiCu、CoCu、NiAg、CuAg、Cu、Al、Zn、Ag、Ga、In或它们的组合。非金属掺杂物元素的示例包括Si、P、Ge或它们的组合。该BiSbE合金层可包括多个BiSb薄片层和一个或多个掺杂物元素薄片层。该BiSbE合金层具有012取向。
本发明授权用作拓扑绝缘体的铋锑合金在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道扭矩SOT设备，所述SOT设备包括： 衬底；和 铋锑掺杂物元素BiSbE合金层，所述BiSbE合金层位于所述衬底上方，所述BiSbE合金层具有012取向，所述BiSbE合金层包含， 铋； 锑；和 至少位于所述BiSbE合金层的顶部边缘处的一个或多个掺杂物元素薄片层，所述一个或多个掺杂物元素薄片层中的每一个掺杂物元素薄片层包含掺杂物元素，所述掺杂物元素包含选自由非金属掺杂物元素、金属掺杂物元素和它们的组合组成的组的材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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