买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉斯坦雷电气株式会社申请的专利垂直谐振器型发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114946092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092170.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直谐振器型发光元件是由仓本大设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直谐振器型发光元件在说明书摘要公布了：提供了一种发光效率高的垂直谐振器型发光元件。本发明的特征在于具有：基板；形成在基板上的第一多层薄膜反射镜；半导体结构层，其包括形成在第一多层薄膜反射镜上的第一导电类型的第一半导体层、形成在第一半导体层上的发光层以及与第一导电类型相反的第二导电类型并且形成在发光层上的第二半导体层；电极层，其形成在半导体结构层的上表面上，并在上表面的一个区域中与半导体结构层的第二半导体层电接触；以及第二多层薄膜反射镜，其形成为覆盖电极层上的一个区域，并且与第一多层薄膜反射镜构成谐振器，半导体结构层具有一个凹陷结构，所述一个凹陷结构包括在围绕一个区域的区域中从上表面穿透发光层的一个或更多个凹部。

本发明授权垂直谐振器型发光元件在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔体发光元件，所述垂直腔体发光元件包括： 氮化镓基半导体基板； 第一多层反射器，由氮化物半导体制成的所述第一多层反射器形成在所述基板上； 半导体结构层，所述半导体结构层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，由具有第一导电类型的氮化物半导体制成的所述第一半导体层形成在所述第一多层反射器上，由氮化物半导体制成的所述有源层形成在所述第一半导体层上，所述第二半导体层形成在所述有源层上并且由具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的氮化物半导体制成； 第一电极层，所述第一电极层与所述半导体结构层的所述第一半导体层电接触； 第二电极层，所述第二电极层形成在所述半导体结构层的上表面上，所述第二电极层在所述上表面的一个区域中与所述半导体结构层的所述第二半导体层电接触；以及 第二多层反射器，所述第二多层反射器形成为覆盖所述第二电极层上的所述一个区域，所述第二多层反射器与所述第一多层反射器构成谐振器， 其中，所述半导体结构层具有一个凹陷结构，所述一个凹陷结构包括一个或多个凹陷部，所述一个或多个凹陷部在围绕所述一个区域的区域中从所述上表面穿过所述有源层，并且 其中，当从与所述半导体结构层的平面内方向垂直的方向观察时，所述凹陷结构被设置为与所述第二多层反射器交叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人斯坦雷电气株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。