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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利沟槽栅功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011379469.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权沟槽栅功率器件是由曾大杰设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽栅功率器件，在半导体衬底上形成有多个栅极沟槽且各栅极沟槽和各台面区交替排列；在栅极沟槽中形成有第一导电材料层，和源区接触的第一通孔设置在台面区顶部，第一通孔的第一侧的第一导电材料层连接到栅极以及第二侧的第一导电材料层的顶部连接到源极；第一通孔和第一侧的栅极沟槽具有第一间距以及和第二侧的栅极沟槽具有第二间距，第二间距小于第一间距的结构。本发明结合沟槽栅的第一导电材料层的电极连接设置以及台面区的源区顶部的通孔的设置，能使台面区的宽度所能达到的最小值缩小，从而能缩小台面区的宽度并从而缩小栅极沟槽和台面区形成的步进，从而能提高器件的性能。

本发明授权沟槽栅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅功率器件，其特征在于： 在半导体衬底上形成有多个栅极沟槽，在各所述栅极沟槽之间的所述半导体衬底组成台面区，各所述栅极沟槽和各所述台面区交替排列，由一个所述栅极沟槽和相邻的一个所述台面区组成单元结构； 在所述栅极沟槽中形成有第一导电材料层，在所述第一导电材料层和所述栅极沟槽的侧面之间间隔有栅介质层； 沟道区形成于各所述台面区的所述半导体衬底表面，各所述栅极沟槽穿过所述沟道区； 源区形成于所述沟道区的表面； 层间膜覆盖在形成有所述源区的所述台面区以及形成有所述第一导电材料层的所述栅极沟槽区域的表面上； 在所述层间膜中形成有穿过所述层间膜的通孔； 在所述层间膜的表面形成有由正面金属层图形化后形成的栅极和源极； 所述通孔包括设置在所述台面区顶部的第一通孔，所述第一通孔的底部和所述源区接触且所述第一通孔的底部穿过所述源区和所述沟道区接触，所述第一通孔的顶部和所述源极连接； 各所述第一通孔的两侧分别具有一个所述第一导电材料层，所述第一通孔的第一侧的所述第一导电材料层的顶部通过对应的所述通孔连接到所述栅极，所述第一通孔的第二侧的所述第一导电材料层的顶部通过对应的所述通孔连接到所述源极； 所述第一通孔和第一侧的所述栅极沟槽具有第一间距，所述第一通孔和第二侧的所述栅极沟槽具有第二间距，所述第二间距小于所述第一间距； 所述第一间距受到所述第一通孔和第一侧的所述栅极沟槽的对准工艺偏差的限制以及所述第一间距受到所述第一通孔和第一侧的所述栅极沟槽的最小间距值的限制，所述第一间距大于所述最小间距值时所述第一通孔的第一侧的所述栅极沟槽侧面的所述沟道区的阈值电压不受影响；所述第一间距的版图设计值大于等于所述第一通孔和第一侧的所述栅极沟槽的对准工艺偏差和所述最小间距值的和； 所述第二间距不受到所述第一通孔和第二侧的所述栅极沟槽的最小间距值的限制，所述第二间距保证在所述第一通孔和第二侧的栅极沟槽发生对准偏差后，所述第一通孔的第一侧位于所述台面区以及所述第一通孔的第二侧位于所述台面区或所述第一通孔的第二侧的所述栅极沟槽的形成区域； 所述台面区的宽度为所述第一间距、所述第一通孔的宽度和所述第二间距的和，通过缩小所述第二间距来缩小所述台面区的宽度，从而减少所述单元结构的步进。

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