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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011335002.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张斌;刘中元设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的若干第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括沿第一方向平行排布的第一鳍部和第二鳍部、以及沿第二方向平行排布的第三鳍部和第四鳍部，所述第三鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的一侧端部，所述第四鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的另一侧端部。该结构的所述第一鳍部结构的体积较大，使得在所述第一鳍部结构两侧所形成的第一源漏开口的表面积增大。当所述第一源漏开口的表面积增大后，在第一源漏开口内形成的所述第一源漏掺杂层的体积也相应增大，进而使得所述第一源漏掺杂层内掺入的第一源漏离子增多，以此提升所述第一源漏掺杂层之间的电流，使得最终形成的半导体结构的性能提升。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区； 位于所述第一区上的若干第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括沿第一方向平行排布的第一鳍部和第二鳍部、以及沿第二方向平行排布的第三鳍部和第四鳍部，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第三鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的一侧端部，所述第四鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的另一侧端部； 位于所述衬底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿所述第一方向横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部，所述第三鳍部和所述第四鳍部分别位于所述第一栅极结构的两侧； 位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部结构内的第一源漏开口； 位于所述第一源漏开口内的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层内具有第一源漏离子；其中， 所述第一鳍部结构的形成方法包括：在所述第一区上形成第一核心层，所述第一核心层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出所述衬底的顶部表面；在所述第一开口和第一核心层的侧壁、以及所述第一核心层和衬底的顶部表面形成鳍部材料层；回刻蚀所述鳍部材料层，直至暴露出所述第一核心层和衬底的顶部表面为止，形成初始第一鳍部结构；去除位于所述第一核心层侧壁的所述鳍部材料层，形成所述第一鳍部结构。

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