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深圳博升光电科技有限公司廖文龙获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳博升光电科技有限公司申请的专利高对比度光栅垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112332211B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011286924.4,技术领域涉及:H01S5/028;该发明授权高对比度光栅垂直腔面发射激光器及其制备方法是由廖文龙;沈志强;祁继鹏设计研发完成,并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

高对比度光栅垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种高对比度光栅垂直腔面发射激光器及其制备方法,包括依次从下至上设置的第一反射器层、有源层、第二反射器层及光栅层,该光栅层上依次设置有的图案化的第一保护层及第二保护层,该光栅层设置为包括光栅条的图案化膜层,该第一保护层覆盖该光栅条,该第一保护层与第二保护层存在刻蚀选择比。本申请实施例通过在光栅层上设置存在刻蚀选择比的保护层,使得对外侧保护层进行选择性刻蚀,对芯片的部分结构进行保护时,由于存在的刻蚀选择比从而能够有效完整的保持内部的保护层的完整性,实现内侧保护层对光栅条的保护,提高了发射激光器的稳定性。

本发明授权高对比度光栅垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高对比度光栅垂直腔面发射激光器,包括从下至上设置的第一反射器层、有源层、第二反射器层及光栅层,其特征在于, 所述光栅层上依次设置有的图案化的第一保护层及第二保护层,所述光栅层设置为包括光栅条的图案化膜层,所述第一保护层覆盖所述光栅条,所述第一保护层及所述第二保护层存在刻蚀选择比,所述第二保护层的刻蚀速率大于所述第一保护层的刻蚀速率; 所述第一保护层及所述第二保护层设置为包括SiO2、SiN、TiO2、AlN、Ta2O5、AlOx及HfO2中至少任一种或其混合物的单层或复合膜层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳博升光电科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼2604;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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