联华电子股份有限公司郭致玮获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011276897.2，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权半导体元件及其制作方法是由郭致玮设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件的制作方法包括：供一基底，包括一逻辑元件区以及一存储器元件区。接着形成一存储器堆叠结构于存储器元件区上，并形成一保护层覆盖存储器堆叠结构的顶面及侧壁。然后形成第一层间介电层于保护层上，并进行一研磨后回蚀刻制作工艺，以移除存储器堆叠结构的顶面上的部分第一层间介电层及部分保护层。接着形成一第二层间介电层于第一层间介电层上并直接接触保护层，然后形成一上接触结构穿过第二层间介电层及存储器堆叠结构的顶面上的保护层并接触该存储器堆叠结构。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制作方法，包括: 提供基底，包括逻辑元件区以及存储器元件区； 形成存储器堆叠结构于该存储器元件区上； 形成保护层覆盖该存储器堆叠结构的顶面及侧壁； 形成第一层间介电层于该保护层上； 进行研磨后回蚀刻制作工艺，移除该存储器堆叠结构的该顶面上的部分该第一层间介电层及部分该保护层； 形成第二层间介电层于该第一层间介电层上并直接接触该保护层；以及 形成上接触结构，穿过该第二层间介电层及该存储器堆叠结构的该顶面上的该保护层并接触该存储器堆叠结构， 其中该研磨后回蚀刻制作工艺的步骤包括: 在该基底上形成掩模层，该掩模显露出该存储器元件区的该第一层间介电层； 以该掩模层为蚀刻掩模对显露出来的该第一层间介电层进行蚀刻；以及 移除该掩模层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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