台湾积体电路制造股份有限公司张永昌获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利显示装置及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113206127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011237628.5,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权显示装置及其形成方法是由张永昌;刘铭棋设计研发完成,并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置及其形成方法在说明书摘要公布了:在一些实施例中,本公开涉及一种显示装置,所述显示装置包括第一反射器电极及与第一反射器电极隔开的第二反射器电极。显示装置还包括上覆在第一反射器电极及第二反射器电极上的隔离结构。隔离结构包括第一部分及第二部分。第一部分上覆在第一反射器电极上且具有第一厚度。第二部分上覆在第二反射器电极上,具有大于第一厚度的第二厚度,且与隔离结构的第一部分隔开。显示装置还包括分别上覆在隔离结构的第一部分及第二部分上的第一光学发射体结构及第二光学发射体结构。
本发明授权显示装置及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种显示装置,包括: 第一反射器电极; 第二反射器电极,与所述第一反射器电极隔开; 隔离结构,上覆在所述第一反射器电极及所述第二反射器电极上,所述隔离结构包括: 第一部分,上覆在所述第一反射器电极上且具有第一厚度,以及 第二部分,上覆在所述第二反射器电极上,具有大于所述第一厚度的第二厚度,且与所述隔离结构的所述第一部分隔开; 第一光学发射体结构及第二光学发射体结构,分别上覆在所述隔离结构的所述第一部分及所述第二部分上,且所述第一光学发射体结构与所述第二光学发射体结构具有垂直外侧壁; 第一阻挡结构,布置在所述第一反射器电极与所述第二反射器电极之间; 第二阻挡结构,布置在所述隔离结构的所述第一部分与所述第二部分之间; 第一透明电极,布置在所述隔离结构的所述第一部分与所述第一光学发射体结构之间;以及 第二透明电极,布置在所述隔离结构的所述第二部分与所述第二光学发射体结构之间,其中所述第二透明电极与所述第一透明电极电隔离, 其中,所述第一透明电极与所述第二透明电极具有垂直外侧壁,所述垂直外侧壁与所述第一光学发射结构与所述第二光学发射结构的所述垂直外侧壁对齐,且 其中,所述第一透明电极的所述垂直外侧壁的间距小于所述隔离结构的所述第一部分的垂直外侧壁的间距,且所述第二透明电极的所述垂直外侧壁的间距小于所述隔离结构的所述第二部分的垂直外侧壁的间距。
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