北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司汪涵获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114442421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011188200.6,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质是由汪涵;杨芸;郑凯;高颖;彭凡珊设计研发完成,并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了:一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质,所述光学邻近矫正方法包括:提供原始图形;获取所述原始图形中的刻蚀窗口;获取所述刻蚀窗口边界内侧的膜层,作为内侧膜层,以及获取所述刻蚀窗口边界外侧的膜层,作为外侧膜层;判断所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料是否相同;当所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料不同时,将所述内侧膜层和外侧膜层的边界标记为待处理边界;沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向,对所述待处理边界进行扩展,获得图形。本发明实施例有利于增大光刻和刻蚀工艺的窗口,降低出现栅栏缺陷的几率。
本发明授权光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种光学邻近矫正方法,其特征在于,包括: 提供原始图形,所述原始图形为版图文件的原始图形; 获取所述原始图形中的刻蚀窗口; 获取所述刻蚀窗口边界内侧的膜层,作为内侧膜层,以及获取所述刻蚀窗口边界外侧的膜层,作为外侧膜层; 判断所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料是否相同; 当所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料不同时,将所述内侧膜层和外侧膜层的边界标记为待处理边界; 沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向,对所述待处理边界进行扩展,获得矫正后的图形。
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