创亿半导体股份有限公司张立鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉创亿半导体股份有限公司申请的专利功率半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114447114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011190506.5,技术领域涉及:H10D30/60;该发明授权功率半导体元件及其制造方法是由张立鸣;陈美玲;李序恒设计研发完成,并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开涉及一种功率半导体元件及其制造方法,该功率半导体元件包括:第一电性外延层、第二电性第一掺杂区、第一电性第二掺杂区、元件电极、第一终端电极和第二终端电极,外延层包括主动区和终端区。第一掺杂区位于主动区中;第二掺杂区位于第一掺杂区中。接触金属层位于外延层上,与第二掺杂区电性接触。元件电极位主动区中的元件沟槽中,并与外延层和接触金属层电性隔离。第一终端电极位于终端区中的第一终端沟槽中,并与外延层电性隔离。第二终端电极位于第一终端沟槽的底部,并与第一终端电极和外延层电性隔离。第一终端电极和第二终端电极均可选择浮接。
本发明授权功率半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种功率半导体元件,包括: 一外延层,具有一第一电性,并包括一主动区和一终端区; 一第一掺杂区,具有一第二电性,位于该主动区的该外延层中; 一第二掺杂区,具有该第一电性,位于该第一掺杂区中; 一接触金属层,位于该外延层上,与该第二掺杂区电性接触,且自该主动区连续地延伸至该终端区; 一元件电极,位于该主动区中的一元件沟槽之中,并与该外延层和该接触金属层电性隔离; 一第一终端电极,位于该终端区中的一第一终端沟槽之中,并与该外延层电性隔离;以及 一第二终端电极,位于该第一终端沟槽的一底部,并与该第一终端电极和该外延层电性隔离; 其中,该第一终端电极和该第二终端电极均能选择浮接或与该接触金属层电性接触,且 其中,该接触金属层在该终端区中为连续的。
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