中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司韩秋华获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011118118.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由韩秋华;纪世良设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，衬底表面形成有堆叠层，堆叠层表面包括掩膜层，堆叠层包括依次交替分布的沟道层和牺牲层；刻蚀掩膜层、堆叠层，形成分立的第一鳍片和第二鳍片；在第一鳍片和第二鳍片间填充第一介质层，在第一鳍片和第二鳍片侧壁形成第二介质层；回刻蚀第一介质层，至第一介质层表面低于堆叠层的顶部，形成第一开口；刻蚀第一开口侧壁的堆叠层和掩膜层，形成第二开口；在第二开口中填充第三介质层，第一介质层和第三介质层构成第一鳍片和第二鳍片间的介电墙。本申请技术方案能够增大Forksheet器件在N型器件和P型器件图形化时的工艺窗口。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠层，所述堆叠层表面包括掩膜层，所述堆叠层包括依次交替分布的沟道层和牺牲层； 刻蚀所述掩膜层、堆叠层，形成分立的第一鳍片和第二鳍片； 在所述第一鳍片和所述第二鳍片间填充第一介质层，在所述第一鳍片和所述第二鳍片侧壁形成第二介质层； 回刻蚀所述第一介质层，至所述第一介质层表面低于所述堆叠层的顶部，形成第一开口； 刻蚀所述第一开口侧壁的堆叠层和掩膜层，形成第二开口； 在所述第二开口中填充第三介质层，所述第一介质层和所述第三介质层构成所述第一鳍片和所述第二鳍片间的介电墙。
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