株式会社赛奧科思;住友化学株式会社市川磨获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社赛奧科思;住友化学株式会社申请的专利半导体装置和结构体的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114467183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080069088.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置和结构体的制造方法是由市川磨;堀切文正;福原昇设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和结构体的制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置具有：衬底；形成于衬底上，由Ⅲ族氮化物构成的Ⅲ族氮化物层；形成于Ⅲ族氮化物层的凹部，Ⅲ族氮化物层具有：沟道层；形成于沟道层上，在所述沟道层形成二维电子气体的阻挡层，阻挡层具有：由氮化铝镓构成的第1层；形成于第1层上，由添加有n型杂质的氮化铝镓构成的第2层，凹部通过除去第2层的厚度的全部或一部分而形成，在凹部的下方，配置有第1层的厚度的至少一部分。
本发明授权半导体装置和结构体的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 衬底； 形成于所述衬底上，由Ⅲ族氮化物构成的Ⅲ族氮化物层； 形成于所述Ⅲ族氮化物层的凹部， 所述Ⅲ族氮化物层具有： 沟道层； 形成于所述沟道层上，在所述沟道层形成二维电子气体的阻挡层， 所述阻挡层具有： 由氮化铝镓构成的非导电性的第1层； 形成于所述第1层上，由添加有n型杂质的氮化铝镓构成的导电性的第2层， 所述凹部，通过除去所述第2层的厚度的全部或一部分而形成，在所述凹部的下方，配置有所述第1层的厚度的至少一部分， 通过由原子力显微镜观察所述凹部底面的1000nm见方的区域所测量到的所述底面的算术平均粗糙度Ra为0.4nm以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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