索尼半导体解决方案公司堀越浩获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体装置、固态摄像装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114586159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073130.1，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权半导体装置、固态摄像装置和电子设备是由堀越浩设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、固态摄像装置和电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制因接合过程导致的电容器性能劣化的半导体装置。所述半导体装置包括彼此接合的第一基板和第二基板。第一电极设置于所述第一基板内，且所述第一电极的一个表面与所述第一基板和所述第二基板之间的接合面位于同一面上。第二电极设置于所述第二基板内，所述第二电极的一个表面与所述接合面位于同一面上，且所述第二电极的所述一个表面接合至所述第一电极的所述一个表面。所述半导体装置还包括第一电容器和第二电容器中的至少一者，所述第一电容器设置于所述第一基板内，且所述第一电容器的一个电极电气连接到所述第一电极的非露出面，所述第二电容器设置于所述第二基板内，且所述第二电容器的一个电极电气连接到所述第二电极的非露出表面。
本发明授权半导体装置、固态摄像装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一基板； 第二基板，其接合至所述第一基板； 第一电极，其设置于所述第一基板内，且所述第一电极的一个表面与所述第一基板和所述第二基板之间的接合面位于同一面上； 第二电极，其设置于所述第二基板内，所述第二电极的一个表面与所述接合面位于同一面上，且所述第二电极的所述一个表面接合至所述第一电极的所述一个表面；及 第一电容器和第二电容器中的至少一者，所述第一电容器设置于所述第一基板内，且所述第一电容器的一个电极电气连接到所述第一电极的另一表面，所述第二电容器设置于所述第二基板内，且所述第二电容器的一个电极电气连接到所述第二电极的另一表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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