欣兴电子股份有限公司杨凯铭获国家专利权
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龙图腾网获悉欣兴电子股份有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011047601.X，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权封装结构及其制造方法是由杨凯铭;彭家瑜;刘汉诚设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种封装结构及其制造方法，包括芯片、重布线路结构、成型模料结构以及电磁干扰遮蔽结构。所述重布线路结构设置在所述芯片上并形成电性连接。所述成型模料结构环绕所述芯片以及所述重布线路结构的外围设置。所述电磁干扰遮蔽结构环绕所述成型模料结构的外围设置。通过所述成型模料结构环绕所述芯片以及所述重布线路结构的外围设置，以提供对结构的多面保护及强化。通过所述电磁干扰遮蔽结构环绕所述成型模料结构的外围设置，以提供对所述芯片以及所述重布线路结构的多面电磁干扰防护。借此达到提升结构强度以及使用可靠性、稳定性的目的。
本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括： 芯片，包括第一底面以及多个第一外侧面； 重布线路结构，设置在所述芯片上并形成电性连接，所述重布线路结构包括相对的第二顶面及第二底面以及连接所述第二顶面与所述第二底面的多个第二外侧面，所述多个第一外侧面对应所述多个第二外侧面； 成型模料结构，设置在所述芯片以及所述重布线路结构的外围； 电磁干扰遮蔽结构，设置在所述成型模料结构的外围； 其中所述成型模料结构包括: 第一成型模料层，设置在所述芯片的所述多个第一外侧面以及所述重布线路结构的所述多个第二外侧面上； 第二成型模料层，设置在述芯片的所述第一底面上，且与所述第一成型模料层相连接； 其中，所述电磁干扰遮蔽结构包括第一电磁干扰遮蔽层，设置在所述第一成型模料层的多个外侧面、所述第二成型模料层的多个外侧面以及底面，所述第二成型模料层设置多个凹槽或贯穿所述第二成型模料层的多个开孔，其中所述多个凹槽或所述多个开孔对应所述芯片的所述第一底面。
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