无锡华润上华科技有限公司杨斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011007792.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由杨斌;李春旭;刘晨晨;黄刚;黄宇;曹瑞彬设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，于所述衬底的上表面形成第一图形化掩膜层，基于所述第一图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽的侧壁及底部形成衬垫层；于所述衬底内形成环绕所述浅沟槽四周的第一漂移区及位于所述浅沟槽正下方的第二漂移区，其中，通过控制所述第一图形化掩膜层的厚度及离子注入的能量使得所述第一漂移区的掺杂浓度与所述第二漂移区的掺杂浓度不同；对所得结构进行退火处理；于所述浅沟槽内形成介质层，所述介质层填满所述浅沟槽。本申请能够在保证制成半导体器件的高耐压值的情况下降低器件的导通电阻，并减少了工艺流程步骤。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底，于所述衬底的上表面形成第一图形化掩膜层，基于所述第一图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底内形成浅沟槽； 于所述浅沟槽的侧壁及底部形成衬垫层； 于所述衬底的上表面形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层内形成有第二开口图形，所述第二开口图形定义出第一漂移区及第二漂移区的位置及形状； 基于所述第二图形化掩膜层对所述衬底进行离子注入，以于所述衬底内形成环绕所述浅沟槽四周的所述第一漂移区及位于所述浅沟槽正下方的所述第二漂移区；其中，通过控制所述第一图形化掩膜层的厚度及离子注入的能量，以利用所述第一图形化掩膜层的阻挡，使得所述第一漂移区的掺杂浓度小于所述第二漂移区的掺杂浓度； 对所得结构进行退火处理的同时，对所述第一漂移区及所述第二漂移区进行高温推阱； 于所述浅沟槽内形成介质层，所述介质层填满所述浅沟槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡华润上华科技有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号