中国科学院深圳先进技术研究院曹江浪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院深圳先进技术研究院申请的专利一种压电传感器的制备方法与压电传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112129432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010968555.0，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权一种压电传感器的制备方法与压电传感器是由曹江浪;方鹏;李光林设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电传感器的制备方法与压电传感器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种压电传感器的制备方法与压电传感器，该制备方法包括：提供压电驻极体；在压电驻极体的一侧表面上设置信号阵列单元；在压电驻极体表面未被信号阵列单元覆盖的区域设置绝缘层；在绝缘层上制作信号导线，并使信号导线与信号阵列单元连接；在压电驻极体远离信号阵列单元的一侧表面上设置地线层与地线导线，以获得压电传感器。通过上述方式，本申请能够降低传感单元数量以及尺寸对压电传感器的尺寸的限制，以及减小传感单元数量以及尺寸对检测精度的影响，通过提高传感器中阵列单元的密度，进一步提高传感信号的精度和准确性。
本发明授权一种压电传感器的制备方法与压电传感器在权利要求书中公布了：1.一种压电传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供压电驻极体； 在所述压电驻极体的一侧表面上设置信号阵列单元； 在所述压电驻极体表面未被所述信号阵列单元覆盖的区域设置绝缘层，包括：基于所述信号阵列单元的设定参数制备信号层遮盖板；利用所述信号层遮盖板对所述信号阵列单元进行遮盖处理后，控制高分子聚合物颗粒沉积到所述压电驻极体表面，以形成所述绝缘层； 在所述绝缘层上制作信号导线，并使所述信号导线与所述信号阵列单元连接；其中，所述信号导线与所述绝缘层的厚度之和小于或等于所述信号阵列单元的厚度； 在所述压电驻极体远离所述信号阵列单元的一侧表面上设置地线层与地线导线，以获得所述压电传感器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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