中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010965138.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；沟道结构层，位于所述鳍部上且与所述鳍部间隔设置，所述沟道结构层包括一个或多个间隔设置的沟道层；器件栅极结构，横跨所述鳍部和沟道结构层且包围所述沟道层；源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层和鳍部中；层间介质层，位于所述源漏掺杂层的顶部，且覆盖所述器件栅极结构的侧壁。所述源漏掺杂层还位于鳍部中，从而增大了源漏掺杂层的体积，相应增加了源漏掺杂层产生的沟道应力，进而提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部； 沟道结构层，位于所述鳍部上且与所述鳍部间隔设置，所述沟道结构层包括一个或多个间隔设置的沟道层； 器件栅极结构，横跨所述鳍部和沟道结构层且包围所述沟道层； 源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层和鳍部中，所述源漏掺杂层包括：第一源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的所述沟道结构层中；第二源漏掺杂层，位于所述第一源漏掺杂层底部的所述鳍部中，沿平行于所述衬底且与所述器件栅极结构的延伸方向相垂直的方向上，所述第二源漏掺杂层的侧壁相对于所述第一源漏掺杂层的侧壁向内缩进，且所述第一源漏掺杂层的底面宽度大于第二源漏掺杂层的顶面宽度； 层间介质层，位于所述源漏掺杂层的顶部，且覆盖所述器件栅极结构的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号