中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010929722.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由张田田;荆学珍;张浩;于海龙;韩静利;孟晋辉设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其方法包括：提供基底，所述基底内形成有接触孔，所述接触孔的底部表面暴露出所述基底内的源漏掺杂层的顶部表面；在所述接触孔的底部和侧壁上形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层上形成金属层，所述金属层覆盖部分所述初始阻挡层的侧壁；在所述金属层上形成密封层；刻蚀去除所述金属层未覆盖的部分所述初始阻挡层，形成所述阻挡层；在金属层上形成密封层之后，密封层将金属层很好的保护住，这样在刻蚀去除金属层未覆盖的部分初始阻挡层形成阻挡层的过程中，由于密封层的保护作用，使得金属层在刻蚀工艺中不会遭到损伤，从而提高了金属层的形成质量，有助于提高形成的半导体器件的质量和良率。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内形成有接触孔，所述接触孔的底部表面暴露出所述基底内的源漏掺杂层的顶部表面； 在所述接触孔的底部和侧壁上形成初始阻挡层； 在所述初始阻挡层上形成金属层，所述金属层覆盖部分所述初始阻挡层的侧壁； 在所述金属层上形成密封层； 刻蚀去除所述金属层未覆盖的部分所述初始阻挡层，形成所述阻挡层； 其中形成所述密封层的步骤包括： 在所述金属层上形成初始密封层； 对所述初始密封层进行退火处理，在退火处理的过程中同时通入氧气，在所述金属层上形成所述密封层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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