中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵炳贵获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010923219.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由赵炳贵设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：在所述第一介质层表面、栅极结构顶部表面以及插塞顶部表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成暴露出第一介质层表面的第一开口，且所述第一开口暴露出至少两个栅极结构顶部表面或至少两个插塞顶部表面；在所述第一开口内形成第一初始导电结构；刻蚀部分所述第一初始导电结构直至暴露出第一介质层表面，形成分立的第一导电结构，所述第一导电结构位于栅极结构顶部表面或插塞顶部表面。所述第一初始导电结构沿垂直于栅极结构延伸方向的尺寸较大，降低了形成所述第一初始导电结构的刻蚀工艺难度，并且所述第二开口保证能够使相邻第一导电结构之间隔离，有利于增大工艺窗口。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有第一介质层和若干栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述源漏掺杂区顶部表面具有插塞，所述第一介质层位于所述栅极结构、源漏掺杂区以及插塞表面； 在所述第一介质层表面、栅极结构顶部表面以及插塞顶部表面形成第二介质层； 在所述第二介质层内形成暴露出第一介质层表面的第一开口，且所述第一开口暴露出至少两个栅极结构顶部表面、至少两个插塞顶部表面或者相邻的栅极结构顶部表面和插塞顶部表面； 在所述第一开口内形成第一初始导电结构； 刻蚀部分所述第一初始导电结构直至暴露出第一介质层表面，形成分立的第一导电结构，所述第一导电结构位于栅极结构顶部表面或插塞顶部表面。
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