台湾积体电路制造股份有限公司杨柏峰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利铁电随机访问存储器器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010903577.9，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权铁电随机访问存储器器件和方法是由杨柏峰;杨世海;徐志安设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电随机访问存储器器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及铁电随机访问存储器器件和方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出高于衬底的第一鳍；在第一鳍之上形成第一源极漏极区域；第一鳍之上，在第一源极漏极区域之间形成第一多个纳米结构；在第一多个纳米结构周围形成第一栅极结构；以及在第一栅极结构之上并且与第一栅极结构电耦合地形成第一铁电电容器。
本发明授权铁电随机访问存储器器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括： 形成突出高于衬底的第一鳍； 在所述第一鳍之上形成第一层堆叠，所述第一层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层； 在所述第一鳍之上形成第一源极漏极区域； 在所述第一鳍之上，在所述第一源极漏极区域之间形成第一多个纳米结构，其中，形成所述第一多个纳米结构包括： 至少去除所述第一层堆叠的所述第二半导体材料的顶层；以及 在至少去除所述第二半导体材料的顶层之后，选择性地去除所述第一层堆叠的所述第一半导体材料，其中，在选择性去除之后，所述第一层堆叠的所述第二半导体材料保留以形成所述第一多个纳米结构； 在所述第一多个纳米结构周围形成第一栅极结构；以及 在所述第一栅极结构之上并且与所述第一栅极结构电耦合地形成第一铁电电容器。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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