台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010894273.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件和制造方法是由李欣怡;洪正隆;陈智城;张文;徐志安设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：设置在衬底上的鳍结构；设置在所述鳍结构上的纳米结构沟道区域；以及栅极环绕式GAA结构，围绕所述纳米结构沟道区域。所述GAA结构包括：具有金属掺杂区域的高KHK栅极电介质层，所述金属掺杂区域具有第一金属材料的掺杂剂；设置在所述HK栅极电介质层上的p型功函数金属pWFM层；插入在所述HK栅极电介质层和所述pWFM层之间的双金属氮化物层；设置在所述pWFM层上的n型功函数金属nWFM层；以及设置在所述nWFM层上的栅极金属填充层。所述pWFM层包括第二金属材料，并且所述双金属氮化物层包括所述第一金属材料和所述第二金属材料。
本发明授权半导体器件和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 设置在所述衬底上的鳍结构； 设置在所述鳍结构上的纳米结构沟道区域；以及 栅极环绕式GAA结构，围绕所述纳米结构沟道区域，其中，所述GAA结构包括： 具有金属掺杂区域的高KHK栅极电介质层，所述金属掺杂区域具有第一金属材料的掺杂剂； 设置在所述HK栅极电介质层上的第一WFM层，其中，所述第一WFM层包括第二金属材料； 插入在所述HK栅极电介质层和所述第一WFM层之间的双金属氮化物层，其中，所述双金属氮化物层包括所述第一金属材料和所述第二金属材料，并且其中，所述双金属氮化物层中的第一金属材料的浓度分布具有从所述双金属氮化物层的底表面到所述双金属氮化物层的顶表面的递减斜率； 设置在所述第一WFM层上的第二WFM层；以及 设置在所述第二WFM层上的栅极金属填充层。
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