索尼半导体解决方案公司新田阳介获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利成像装置、电子设备和制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114270517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080059478.5,技术领域涉及:H04N5/00;该发明授权成像装置、电子设备和制造方法是由新田阳介;萩本贤哉;藤井宣年;山本雄一设计研发完成,并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像装置、电子设备和制造方法在说明书摘要公布了:本公开涉及一种能够降低制造成本的成像装置、电子设备和制造方法。所述成像装置包括:第一半导体元件,其包括被构造为生成像素信号的成像元件;和第二半导体元件,在其中通过埋入构件埋入被构造为处理所述像素信号的第一信号处电路和第二信号处理电路,其中第一信号处理电路具有比第二信号处理电路多至少一层的结构。所述成像装置还包括:连接第一半导体元件和第一信号处理电路的第一配线;和连接第一信号处理电路和第二信号处理电路的第二配线。本公开可以适用于成像装置。
本发明授权成像装置、电子设备和制造方法在权利要求书中公布了:1.一种成像装置,包括: 第一半导体元件,其包括被构造为生成像素信号的成像元件; 第二半导体元件,在其中通过埋入构件埋入被构造为处理所述像素信号的第一信号处电路和第二信号处理电路;和 连接第一信号处理电路和第二信号处理电路的第二配线,其中 第二配线连接设置在第一信号处理电路的最下层的配线层中的端子和设置在第二信号处理电路的最下层的配线层中的端子, 在第二配线和第一信号处理电路之间以及在第二配线和第二信号处理电路之间设置有至少一层或多层,和 第一信号处理电路具有比第二信号处理电路多至少一层的结构,其中该多的至少一层是增厚层,从而使得连接第一半导体元件和第一信号处理电路的第一配线的长度变短。
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