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龙图腾网获悉埃克隆德创新公司申请的专利包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114868254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073907.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件是由K-H·埃克隆德;L·韦斯特林设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括与场效应晶体管2FET串联的绝缘栅场效应晶体管1，其中，FET2包括若干平行导电层n1‑n5，p1‑p4，并且其中，第一导电类型的衬底11布置为半导体器件的基底，从而在两个晶体管1，2下方延伸，第二导电类型的第一层n1布置为在衬底11上方延伸，其中，在所述第一层n1的顶部布置有具有沟道的若干导电层，所述沟道由若干第二导电类型掺杂的外延层n2‑n4形成，所述第二导电类型掺杂的外延层n2‑n4的两侧具有第一导电类型的层p1‑p4，其中，所述器件的最上层p5优选地比直接在表面下的若干平行导电层p1‑p4，n1‑n4实质上更厚，场效应晶体管2JFET在JFET的源极侧通过第二导电类型的深多晶硅沟槽DNPT22隔开，绝缘栅场效应晶体管1通过两侧的第一导电类型的深多晶硅沟槽DPPT22，23隔开，包括逻辑和模拟控制功能的另一隔开的区域5通过两侧的第一导电类型的深多晶硅沟槽DPPT23，24隔开。

本发明授权包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括： 绝缘栅场效应晶体管，其与高压JFET串联， 其中，高压JFET包括若干平行导电层， 其特征在于， 第一导电类型的衬底布置为半导体器件的基底，从而在两个晶体管下方延伸， 第二导电类型的第一层布置为在衬底上方延伸， 其中，在所述第一层的顶部布置有具有沟道的若干平行导电层，所述沟道由若干第二导电类型掺杂的外延层形成，所述第二导电类型掺杂的外延层的两侧具有第一导电类型的层， 其中，所述器件的最上层是第一导电类型的并且实质上比直接位于下方的若干平行导电层更厚，并且在器件的表面具有第二导电类型的掩蔽注入的层，从而覆盖最上层的顶部，所述掩蔽注入的层与JEFT的源极的接触区域和漏极的接触区域连接， 高压JFET在JFET的源极侧通过第一导电类型的深多晶硅沟槽隔开，所述第一导电类型的深多晶硅沟槽与第一导电类型的若干平行导电层连接， 绝缘栅场效应晶体管通过两侧的第一导电类型的深多晶硅沟槽隔开， 包括逻辑和模拟控制功能的另一隔开的区域通过两侧的第一导电类型的深多晶硅沟槽隔开。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人埃克隆德创新公司，其通讯地址为：瑞典，乌普萨拉；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。