朗姆研究公司尼基尔·多乐获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利用于控制掩模形状并打破选择性与工艺裕度权衡的多态RF脉冲获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080059513.3，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权用于控制掩模形状并打破选择性与工艺裕度权衡的多态RF脉冲是由尼基尔·多乐;维克拉姆·维拉苏尔·斯瓦米纳坦;姜蓓蓓;梅雷特·王设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于控制掩模形状并打破选择性与工艺裕度权衡的多态RF脉冲在说明书摘要公布了：一种用于在等离子体处理系统中对衬底进行蚀刻处理的方法，该方法包括：将源RF功率和偏置RF功率施加到电极，其中源RF功率和偏置RF功率是一起定义多个多态脉冲RF循环的脉冲信号，每个循环具有第一状态、第二状态和第三状态；其中第一状态由具有第一源RF功率电平的源RF功率和具有第一偏置RF功率电平的偏置RF功率定义；其中第二状态由源RF功率和具有基本上为零的功率电平的偏置RF功率定义；以及其中第三状态由具有小于第一源RF功率电平的第二源RF功率电平的源RF功率，以及具有基本上为零的功率电平的偏置RF功率定义。
本发明授权用于控制掩模形状并打破选择性与工艺裕度权衡的多态RF脉冲在权利要求书中公布了：1.一种用于在等离子体处理系统中在衬底上蚀刻具有高纵横比的特征的蚀刻处理方法，所述方法包括： 将源RF功率施加到所述等离子体处理系统的电极；以及 向所述电极施加偏置RF功率； 其中所述源RF功率和所述偏置RF功率是一起定义多个多态脉冲RF循环的脉冲信号，每个循环具有第一状态、第二状态和第三状态； 其中所述第一状态由具有第一源RF功率电平的所述源RF功率和具有第一偏置RF功率电平的所述偏置RF功率定义； 其中所述第二状态由具有基本上为零的功率电平的所述源RF功率和具有基本上为零的功率电平的所述偏置RF功率定义； 其中所述第三状态由具有第二源RF功率电平的所述源RF功率以及具有基本上为零的功率电平的所述偏置RF功率定义，其中所述第二源RF功率电平小于所述第一源RF功率电平； 其中所述第一状态被配置为实现对所述衬底的表面上的特征的蚀刻； 其中所述第二状态被配置为实现对所述衬底的所述表面上的所述特征的钝化；以及 其中所述第三状态被配置为实现在所述特征中形成颈部的材料的去除。
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