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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置和制造显示装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010836192.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权显示装置和制造显示装置的方法是由韩在范;朴英吉;朴精花;安娜利;郑洙任设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置和制造显示装置的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在基板上并且包括无机绝缘材料；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在氧化物半导体层上并且包括无机绝缘材料；和第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在栅电极上并且包括无机绝缘材料，所述栅电极设置在第二绝缘层上。氧化物半导体层包括第一导电区、第二导电区以及位于第一导电区和第二导电区之间的沟道区，并且根据方程式1，氧化物半导体层的沟道区中的HC的值小于30％。

本发明授权显示装置和制造显示装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，所述显示装置包括： 基板； 第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基板上并且包括无机绝缘材料； 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述第一绝缘层上； 第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述氧化物半导体层上并且包括无机绝缘材料； 栅电极，所述栅电极设置在所述第二绝缘层上；以及 第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述栅电极上并且包括无机绝缘材料， 其中所述氧化物半导体层包括第一导电区、第二导电区以及位于所述第一导电区和所述第二导电区之间的沟道区，并且 所述氧化物半导体层的氢浓度在5×1020个原子cm3至2×1021个原子cm3的范围内，并且根据方程式1，所述氧化物半导体层的所述沟道区中的HC的值小于30％： HC＝Max-MinAvg×100％------方程式1， 其中Max表示从所述沟道区内的多个点检测的最大氢浓度值，Min表示从所述沟道区内的多个点检测的最小氢浓度值，并且Avg表示从所述沟道区内的多个点检测的平均氢浓度值，并且 其中在与所述沟道区的边缘分开0.15％的所述沟道区的长度和0.15％的所述沟道区的宽度的有效区中测量所述氢浓度。

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