英飞凌科技股份有限公司C·R·米勒获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体模块装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010786635.4，技术领域涉及：H01L23/049；该发明授权半导体模块装置是由C·R·米勒;A·科尔维罗席特勒;D·多梅斯;A·伦茨设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体模块装置，其包括：壳体；布置在壳体内部的第一半导体衬底；布置在壳体内部的第二半导体衬底；第一多个可控半导体元件；以及第二多个可控半导体元件。在半导体模块装置的操作期间，第一多个可控半导体元件中的每个可控半导体元件生成开关损耗和导通损耗，其中，开关损耗大于导通损耗，并且，在半导体模块装置的操作期间，第二多个可控半导体元件中的每个可控半导体元件生成开关损耗和导通损耗，其中，导通损耗大于开关损耗。第一多个可控半导体元件的至少第一子组布置在第一半导体衬底上，并且第二多个可控半导体元件的至少第一子组布置在第二半导体衬底上。
本发明授权半导体模块装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块装置，包括： 壳体； 布置在所述壳体内部的第一半导体衬底； 布置在所述壳体内部的第二半导体衬底； 第一多个可控半导体元件；以及 第二多个可控半导体元件，其中， 在所述半导体模块装置的操作期间，所述第一多个可控半导体元件中的每个可控半导体元件生成开关损耗和导通损耗，其中，所述开关损耗大于所述导通损耗， 在所述半导体模块装置的操作期间，所述第二多个可控半导体元件中的每个可控半导体元件生成开关损耗和导通损耗，其中，所述导通损耗大于所述开关损耗， 所述第一多个可控半导体元件的至少第一子组布置在所述第一半导体衬底上，并且 所述第二多个可控半导体元件的至少第一子组布置在所述第二半导体衬底上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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