天津三安光电有限公司郑宏获国家专利权
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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利一种半导体发光元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210643784.4，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种半导体发光元件及其制备方法是由郑宏;张东炎;汤国梁;李慧文;金超;潘冠甫;王笃祥设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体发光元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体发光元件，包括半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度大于活性层侧壁的粗糙度。本发明通过两步蚀刻法对所述半导体外延叠层的侧壁进行分段蚀刻，可有效改善侧壁粗化引起的漏电问题。
本发明授权一种半导体发光元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，包含： 一基板； 半导体外延叠层，位于所述基板上，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层，所述第二导电型半导体层远离活性层的一侧为出光面； 所述第二导电型半导体层远离活性层的上表面具有不平整的结构； 电介质层，位于所述第一导电型半导体层远离活性层的一侧，具有多个开口暴露所述第一导电型半导体层； 欧姆接触层，填充所述电介质层的开口； 反射层，设置在所述电介质层远离所述半导体外延叠层的一侧； 其特征在于：所述电介质层的折射率小于所述半导体外延叠层的折射率，所述电介质层的导电性小于反射层的导电性；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度大于活性层侧壁的粗糙度；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度和活性层侧壁粗糙度的比例为20:1~500:1。
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