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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010679488.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延结构是由仇美懿;庄家铭设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MinimicroLED的外延量子阱及其制作方法、外延结构，其中，所述外延量子阱包括阱层、包覆层和阻挡层，所述阱层由InxGa1‑xN制成，所述包覆层由GaN制成，所述阻挡层由掺杂了Si的GaN制成，X＝0.30～0.40，所述阱层的厚度为1.5～2.0nm。本发明通过调整量子阱的结构，增加阱层In的含量，减少阱层的厚度，同时设置包覆层和阻挡层，由此来降低压电效应的影响，进而减少外延层的半波宽Hw、标准差Stdv。

本发明授权一种Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延结构在权利要求书中公布了：1.一种MinimicroLED的外延量子阱，其特征在于，包括依次层叠的阱层、包覆层和阻挡层，所述阱层由InxGa1-xN制成，所述包覆层包括第一包覆层和第二包覆层，所述第一包覆层设置在阱层和第二包覆层之间，所述第一包覆层和第二包覆层均由GaN制成，所述阻挡层由掺杂了Si的GaN制成，其中，X=0.30~0.40，所述阱层的厚度为1.5~2.0nm； 所述第一包覆层采用下述方法制得：在温度为650~750℃，压力为450~550mBar的条件下，通入TEGa、NH3、N2和H2气体，流量分别为130~190sccm、80~160sccm、40~70sccm、3~6sccm，形成厚度为0.5~1nm的第一包覆层； 所述第二包覆层采用下述方法制得：在温度为750~850℃，压力为450~550mBar的条件下，通入TEGa、NH3、N2和H2气体，流量分别为130~190sccm、80~160sccm、40~70sccm、3~6sccm，形成厚度为0.5~1nm的第二包覆层； 其中，第一包覆层的形成温度小于第二包覆层的形成温度，且形成第一包覆层之后，形成第二包覆层之前，中间停顿30~180秒。

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