联华电子股份有限公司刘家玮获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010645397.5，技术领域涉及：H10N59/00；该发明授权半导体元件及其制作方法是由刘家玮;方嘉锋;林俊贤设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法包括，主要先形成一磁性隧道结magnetictunnelingjunction,MTJ堆叠结构于一基底上，然后先进行一蚀刻制作工艺去除部分该MTJ堆叠结构以形成一MTJ，进行一沉积制作工艺以形成聚合物于MTJ侧壁，再去除聚合物以于MTJ侧壁形成粗糙表面。此外MTJ包含一固定层设于基底上、一阻障层设于固定层上以及一自由层设于阻障层上，其中粗糙表面可设于固定层、阻障层以及或自由层侧壁。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成磁性隧道结magnetictunnelingjunction,MTJ堆叠结构于基底上； 形成下电极于该磁性隧道结下方； 形成上电极于该磁性隧道结上方; a进行蚀刻制作工艺去除部分该上电极、部分该磁性隧道结堆叠结构以及部分该下电极以形成磁性隧道结；以及 b进行沉积制作工艺以形成聚合物于该磁性隧道结侧壁，其中该聚合物暴露该上电极的侧壁及该下电极的侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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