联华电子股份有限公司邱久容获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010645970.2，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体元件及其制作方法是由邱久容;冯雅圣;曾奕铭;施易安;陈禹钧;李怡慧;朱中良;胡修豪设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一金属间介电层于基底上，然后形成一凹槽于金属间介电层内，形成一合成反铁磁层于该凹槽内，形成一金属层于合成反铁磁层上，平坦化金属层以及合成反铁磁层以形成一金属内连线，再形成一磁性隧道结magnetictunnelingjunction,MTJ于金属内连线上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成金属间介电层于基底上； 形成凹槽于该金属间介电层内； 形成合成反铁磁层于该凹槽内； 形成金属层于该合成反铁磁层上；以及 平坦化该金属层以及该合成反铁磁层以形成金属内连线于该基底上；以及 形成磁性隧道结magnetictunnelingjunction,MTJ于该金属内连线上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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