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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利转接板及其形成方法、封装方法以及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010571641.8，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权转接板及其形成方法、封装方法以及封装结构是由蔡巧明;杨列勇;陈炜;卢小雨设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本转接板及其形成方法、封装方法以及封装结构在说明书摘要公布了：一种转接板及其形成方法、封装方法以及封装结构，转接板的形成方法包括：提供基底，包括互连区和电容区，基底包括相背的正面和背面；对基底的正面进行刻蚀，在互连区的基底中形成第一沟槽、以及在电容区的基底中形成第二沟槽；在第二沟槽中形成电容器；刻蚀第一沟槽下方的部分厚度基底，形成导电通孔；在导电通孔中形成通孔互连结构；对基底的背面进行减薄处理，露出通孔互连结构。本发明实施例还在转接板中形成电容器，从而将形成电容器和形成转接板的工艺相整合，省去了额外进行形成电容器的步骤，有利于节约工序、提高工艺整合度，进而降低工艺成本、缩短生产周期，而且还提高转接板的功能多样性，从而使转接板的应用场景多样化。

本发明授权转接板及其形成方法、封装方法以及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种转接板的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成通孔互连结构的互连区、以及用于形成电容器的电容区，基底包括相背的正面和背面； 对所述基底的正面进行刻蚀，在所述互连区的基底中形成第一沟槽、以及在所述电容区的基底中形成第二沟槽，所述第一沟槽的开口尺寸大于所述第二沟槽的开口尺寸； 在所述第二沟槽中形成电容器，所述电容器包括位于第二沟槽的侧壁和底部上的第一电极、位于第一电极上的电容介质层以及位于电容介质层上的第二电极，第二电极填充所述第二沟槽；形成所述电容器的步骤中，所述电容器还形成于所述第一沟槽的侧壁和底面，其中，所述电容器位于第一沟槽侧壁的部分作为电容侧部，所述电容器位于第一沟槽底面的部分作为电容底部； 形成所述电容器后，刻蚀所述第一沟槽下方的部分厚度的所述基底，在基底中形成凹槽，所述凹槽与所述第一沟槽构成导电通孔；形成所述凹槽的步骤包括：去除所述电容侧部露出的电容底部，露出所述第一沟槽的部分底面；刻蚀所述电容侧部露出的第一沟槽下方的部分厚度基底，形成所述凹槽； 在所述导电通孔中形成通孔互连结构，所述通孔互连结构包括靠近基底正面的第二部分，所述电容器还位于所述第二部分的侧壁与所述基底之间；所述通孔互连结构还包括靠近基底背面且与第二部分相连的第一部分； 对所述基底的背面进行减薄处理，使所述基底的背面露出通孔互连结构。

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