美光科技公司J·T·哈马达获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元选择获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047448.2，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储器单元选择是由J·T·哈马达;崔铭栋;J·M·麦克拉特;K·萨尔帕特瓦里;J·陈设计研发完成，并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元选择在说明书摘要公布了：本申请涉及使得存储器装置能够在写入操作期间选择目标存储器单元的存储器单元选择。所述存储器装置可将第一脉冲施加到所述目标存储器单元的已选择位线，同时将电压施加到已取消选择字线以防止电流泄漏。如果在所述第一脉冲之后未选择所述目标存储器，则所述存储器装置可将第二脉冲施加到所述已选择位线，同时将电压施加到所述已取消选择字线。如果在所述第二脉冲之后未选择所述目标存储器单元，则所述存储器装置可将第三脉冲施加到所述已选择位线，同时将所述电压施加到所述已取消选择字线。如果选择所述目标存储器单元，则所述存储器装置可在所述脉冲中的任一个之后检测骤回事件。
本发明授权存储器单元选择在权利要求书中公布了：1.一种操作存储器设备的方法，其包括： 在写入操作的选择过程期间，将第一脉冲施加到包括硫族化物材料的存储器单元，所述第一脉冲具有第一电压； 在施加所述第一脉冲之后，将施加到所述存储器单元的电压从所述第一电压降到第三电压； 至少部分地基于施加所述第一脉冲而将具有高于所述第一电压的第二电压的第二脉冲施加到所述存储器单元； 在施加所述第二脉冲之后，将施加到所述存储器单元的所述电压从所述第二电压降到所述第三电压； 确定在施加所述第二脉冲之后所述存储器单元未被选择； 至少部分地基于确定在施加所述第二脉冲之后所述存储器单元未被选择而将具有所述第二电压的第三脉冲施加到所述存储器单元；以及 至少部分地基于将所述第一脉冲、所述第二脉冲和所述第三脉冲施加到所述存储器单元而选择用于所述写入操作的所述存储器单元。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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