买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉剑桥氮化镓器件有限公司申请的专利具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114072908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080048419.8，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件是由弗洛林·乌德雷亚;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪;马丁·阿诺德设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括：形成在衬底4上的第一异质结晶体管和形成在衬底上的第二异质结晶体管。第一异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，该第一异质结包括至少一个二维载流子气；第一端子8，操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；第二端子9，与第一端子横向间隔开并且操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；以及第一栅极区10，在第一端子与第二端子之间的第一III族氮化物半导体区之上。第二异质结晶体管包括：第二III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第二III族氮化物半导体区包括第二异质结，该第二异质结包括至少一个二维载流子气；第三端子19，操作性地连接到第二III族氮化物半导体区；第四端子16，在第一维度上与第三端子横向间隔开并且操作性地连接到第二III族氮化物半导体区；第一导电类型的第一多个高掺杂半导体区18，形成在第二III族氮化物半导体区之上，该第一多个高掺杂半导体区形成在第三端子与第四端子之间；以及第二栅极区17，操作性地连接到第一多个高掺杂半导体区。第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的一个是增强型场效应晶体管，而第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的另一个是耗尽型场效应晶体管。

本发明授权具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括： 第一异质结晶体管，形成在衬底上，所述第一异质结晶体管包括： 第一III族氮化物半导体区，形成在所述衬底之上，其中，所述第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，所述第一异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气； 第一端子，操作性地连接到所述第一III族氮化物半导体区； 第二端子，与所述第一端子横向间隔开并操作性地连接到所述第一III族氮化物半导体区； 第一栅极区，形成在所述第一端子与所述第二端子之间的所述第一III族氮化物半导体区之上；以及 第二异质结晶体管，形成在所述衬底上，所述第二异质结晶体管包括： 第二III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第二III族氮化物半导体区包括第二异质结，该第二异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气； 第三端子，操作性地连接到第二III族氮化物半导体区； 第四端子，在第一维度上与所述第三端子横向间隔开并且操作性地连接到所述第二III族氮化物半导体区； 第一导电类型的第一多个高掺杂半导体区，形成在所述第二III族氮化物半导体区之上，所述第一多个高掺杂半导体区形成在所述第三端子与所述第四端子之间；以及 第二栅极区，操作性地连接到所述第一多个高掺杂半导体区， 其中，所述第一异质结晶体管和所述第二异质结晶体管中的一个是增强型场效应晶体管，而所述第一异质结晶体管和所述第二异质结晶体管中的另一个是耗尽型场效应晶体管；并且 其中所述异质结功率器件还包括电连接到所述第三端子的电容器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人剑桥氮化镓器件有限公司，其通讯地址为：英国剑桥；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。