中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成国良获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010291431.3，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其形成方法是由成国良;张浩;郭雯;段超;许增升设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供第一导电层；在所述第一导电层上形成介质层，所述介质层内具有开口，且所述开口暴露出所述第一导电层表面；在所述开口内形成第二导电层，所述第二导电层顶部表面齐平或者低于所述介质层顶部表面；在所述开口侧壁表面形成缝隙层，且所述缝隙层位于所述介质层和第二导电层之间。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一导电层； 在所述第一导电层上形成介质层，所述介质层内具有开口，且所述开口暴露出所述第一导电层表面； 在所述开口内形成第二导电层，所述第二导电层顶部表面低于所述介质层顶部表面； 在所述开口侧壁表面形成缝隙层，且所述缝隙层位于所述介质层和第二导电层之间； 所述缝隙层的形成方法包括：在所述开口侧壁表面、介质层顶部表面和第二导电层的顶部表面形成缝隙材料层，且所述缝隙材料层位于第二导电层和介质层之间； 所述缝隙材料层的形成方法包括：在所述开口侧壁表面、介质层顶部表面和第二导电层的顶部表面形成初始缝隙材料层；对所述初始缝隙材料层进行改性处理，使所述初始缝隙材料层形成所述缝隙材料层；所述改性处理包括置换反应； 对所述初始缝隙材料层进行改性处理的过程中，在所述缝隙材料层的表面形成第三导电材料层； 采用化学机械研磨工艺，平坦化所述缝隙材料层和第三导电材料层，直至暴露出介质层顶部表面，使所述第三导电材料层形成第三导电层，使所述缝隙材料层形成缝隙层。
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