索尼半导体解决方案公司国武幸史获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像元件和摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113811999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080033705.7，技术领域涉及：H04N5/30；该发明授权摄像元件和摄像装置是由国武幸史;纳土晋一郎;正垣敦设计研发完成，并于2020-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像元件和摄像装置在说明书摘要公布了：本发明减少了背面照射型摄像装置中入射光泄漏到电荷保持器等中。该摄像元件设置有光电转换器、反射器和反射器形成构件。所述光电转换器形成在半导体基板中并且对入射光进行光电转换。所述反射器布置在所述半导体基板的与所述入射光入射的表面不同的表面中并且将经过所述光电转换部的透射光反射回所述光电转换器。所述反射器形成构件布置有与所述半导体基板的所述表面相邻的底表面，并且具有在其侧面形成的所述反射器。
本发明授权摄像元件和摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像元件，包括： 光电转换部，其形成在半导体基板中并且对入射光进行光电转换； 反射部，其布置在所述半导体基板的前表面中并且将经过所述光电转换部透射的透射光反射至所述光电转换部，所述半导体基板的所述前表面与所述入射光入射的表面不同； 反射部形成构件，其具有与所述半导体基板的所述前表面相邻地布置的底表面和形成有所述反射部的侧面； 保持通过所述光电转换产生的电荷的电荷保持部；以及 遮光壁，布置在所述半导体基板中的所述光电转换部与所述电荷保持部之间，所述遮光壁包括靠近所述半导体基板的所述前表面的开口部， 其中，所述反射部布置在所述遮光壁的所述开口部附近并从所述遮光壁的所述开口部朝向所述电荷保持部偏移。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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