中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司吴玉萍获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利互连结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010257742.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权互连结构及其形成方法是由吴玉萍;邵群设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种互连结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有贯穿所述第一介质层的开口；在所述开口中形成第一导电层；在形成所述第一导电层之后，回刻蚀所述第一介质层的一部分以暴露所述第一导电层的顶部侧壁；在回刻蚀所述第一介质层之后，在所述第一介质层的表面以及暴露出的所述第一导电层的表面形成第二介质保护层；以及在形成所述第二介质保护层之后，进行平坦化处理直至暴露出所述第一导电层的顶部表面。本申请所公开的互连结构及其形成方法提高了互连结构的性能。
本发明授权互连结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有贯穿所述第一介质层的开口； 在所述开口中形成第一导电层； 在形成所述第一导电层之后，回刻蚀所述第一介质层的一部分以暴露所述第一导电层的顶部侧壁，在回刻蚀所述第一介质层的一部分的过程中，对所述第一介质层和所述第一导电层的刻蚀选择比大于30：1，所述第一导电层的侧壁也会被刻蚀以去除一部分，使得所述第一导电层具有阶梯状侧壁表面； 在回刻蚀所述第一介质层之后，在所述第一介质层的表面以及暴露出的所述第一导电层的表面形成第二介质保护层；以及 在形成所述第二介质保护层之后，在所述第二介质保护层的表面形成牺牲层，牺牲层的厚度大于在所述回刻蚀中去除的第一介质层的厚度的两倍；进行平坦化处理直至暴露出所述第一导电层的顶部表面；其中，第一介质层和第二介质保护层的材料相同。
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