盛美半导体设备(上海)股份有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种光刻胶去除方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113031408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911359995.X，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权一种光刻胶去除方法及装置是由周飞;仰庶;张晓燕;陈福平;王晖设计研发完成，并于2019-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻胶去除方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种光刻胶去除方法及装置，该方法包括：湿法去胶步骤：采用基板片传送装置将基板片传送到湿法去胶腔体中以去除基板片表面的光刻胶；缺陷检测步骤：采用缺陷检测装置检测基板片表面的光刻胶总残留量，若光刻胶总残留量低于预设值，则进行下一基板片的湿法去胶步骤及缺陷检测步骤；若光刻胶总残留量高于预设值，则进行去胶返工步骤，并重复所述缺陷检测步骤；其中，所述去胶返工步骤包括：采用基板片传送装置将所述基板片再次传送到所述湿法去胶腔体中以去除所述基板片表面残留的光刻胶。本发明可以在线检测基板片是否存在光刻胶残留，根据光刻胶残留区域的分布及光刻胶的残留量自动选择返工时间和喷液管摆臂程序，从而提升返工效率。
本发明授权一种光刻胶去除方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括以下步骤： 湿法去胶步骤：采用基板片传送装置将基板片传送到湿法去胶腔体中以去除所述基板片表面的光刻胶； 缺陷检测步骤：采用缺陷检测装置检测所述基板片表面的光刻胶总残留量，若光刻胶总残留量低于预设值，则进行下一基板片的湿法去胶步骤及缺陷检测步骤；若光刻胶总残留量高于预设值，则进行去胶返工步骤，并重复所述缺陷检测步骤； 去胶返工所需时间计算步骤：基于光刻胶残留量或光刻胶残留区域的分布计算去胶返工所需时间； 其中，所述去胶返工步骤包括：采用所述基板片传送装置将所述基板片再次传送到所述湿法去胶腔体中，基于所述去胶返工所需时间控制所述基板片在所述湿法去胶腔体中的去胶返工时间以去除所述基板片表面残留的光刻胶。
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