三星电子株式会社朴有庆获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利中介层及包括中介层的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911067933.1，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权中介层及包括中介层的半导体封装是由朴有庆;柳承官;尹玟升;崔允硕设计研发完成，并于2019-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本中介层及包括中介层的半导体封装在说明书摘要公布了：提供一种中介层以及半导体封装。中介层包括：基础基底；互连结构，位于基础基底的顶表面上且包括金属互连图案；上钝化层，位于互连结构上且具有压缩应力；下钝化层，位于基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比上钝化层的压缩应力小的压缩应力；下导电层，位于下钝化层下面；以及贯穿电极，穿透基础基底及下钝化层。所述贯穿电极将下导电层电连接到互连结构的金属互连图案。
本发明授权中介层及包括中介层的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种中介层，包括： 基础基底； 互连结构，位于所述基础基底的顶表面上，所述互连结构包括金属互连图案； 连接焊盘，布置在所述互连结构上且电连接到所述互连结构的所述金属互连图案； 上钝化层，位于所述互连结构上，所述上钝化层具有压缩应力，所述上钝化层的底部区域包括氧化硅层，且所述上钝化层的底表面与所述连接焊盘的底表面共面； 下钝化层，位于所述基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比所述上钝化层的所述压缩应力小的压缩应力； 下导电层，位于所述下钝化层下面；以及 贯穿电极，穿透所述基础基底及所述下钝化层，所述贯穿电极将所述下导电层电连接到所述互连结构的所述金属互连图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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