朗姆研究公司谭忠魁获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利蚀刻室中的方向性沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112970096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980072838.2，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权蚀刻室中的方向性沉积是由谭忠魁;谢丽斯;山口叶子;石川靖;帕特里克·蓬那特;钟成珍;桑军·帕克;李源哲;崔佳英设计研发完成，并于2019-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻室中的方向性沉积在说明书摘要公布了：本发明描述了一种用于在蚀刻应用中形成竖直生长掩模的方法。所公开的实施方案包含导入含钨沉积前体以及一或多种载气，同时点燃等离子体，以选择性地在图案化蚀刻掩模的正特征的场域上沉积钨而不实质沉积在正特征的侧壁上或在图案化蚀刻掩模下方的目标层的暴露表面上。
本发明授权蚀刻室中的方向性沉积在权利要求书中公布了：1.一种用于处理半导体衬底的方法，其包含： 提供半导体衬底，其具有位于目标层上方的图案化蚀刻掩模，所述图案化蚀刻掩模包含间隔开的正特征，每一间隔开的正特征均具有场域和侧壁；并且 相对于所述目标层而选择性地在所述间隔开的正特征的所述场域上沉积竖直生长掩模，其中，竖直生长掩模的沉积包括：所述竖直生长掩模基本不沉积在所述正特征的所述侧壁上；以及 使用所述图案化蚀刻掩模和所述竖直生长掩模作为掩模蚀刻目标层， 其中，所述沉积和所述蚀刻进行一个或多个循环，并且所述竖直生长掩模的所述沉积包括补充竖直生长掩模，以实现所述目标层的连续蚀刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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