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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利用于将蚀刻层蚀刻的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112997282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980072844.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权用于将蚀刻层蚀刻的方法是由尼基尔·多乐;柳川拓海设计研发完成，并于2019-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于将蚀刻层蚀刻的方法在说明书摘要公布了：提供了一种在堆叠件中蚀刻特征的方法，所述堆叠件包括在衬底上的介电材料。在步骤a中，由蚀刻气体产生蚀刻等离子体，将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体，并且部分地蚀刻所述堆叠件中的特征。在步骤b中，在步骤a之后提供原子层沉积工艺以在侧壁上沉积保护膜。所述原子层沉积工艺包括多个循环，其中每个循环包括：将所述堆叠件暴露于包含WF6的第一反应物气体中，其中所述第一反应物气体被吸附到所述堆叠件上；以及将所述堆叠件暴露于由第二反应物气体形成的等离子体，其中由所述第二反应物气体形成的所述等离子体与吸附的第一反应物气体反应以在所述堆叠件上方形成保护膜。在步骤c中，至少重复步骤a‑b一次。

本发明授权用于将蚀刻层蚀刻的方法在权利要求书中公布了：1.一种在介电层中蚀刻特征的方法，所述介电层包括在衬底上的堆叠件中的硬掩模下方的SiO2，所述硬掩模包括非晶碳、掺杂硼的碳、掺杂硼的硅、掺杂金属的碳或多晶硅中的一种或多种在，所述方法包括： a由蚀刻气体产生蚀刻等离子体，将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体，并且在等离子体处理室内部分地蚀刻所述堆叠件中的特征； b在a之后提供在所述等离子体处理室内原位执行的原子层沉积工艺以在所述特征的侧壁上沉积保护膜，所述原子层沉积工艺包括多个循环，其中每个循环包括： i将所述堆叠件暴露于包含WF6的第一反应物气体，其中所述第一反应物气体被吸附到所述堆叠件上，其中所述将所述堆叠件暴露于所述第一反应物气体在所述第一反应物气体是无等离子体的时，将所述堆叠件暴露于所述第一反应物气体；以及 ii将所述堆叠件暴露于由第二反应物气体形成的等离子体，其中由所述第二反应物气体形成的所述等离子体与吸附的第一反应物气体反应以在所述堆叠件上方形成保护膜，其中所述第二反应物气体包括含氧组分以提供氧化，其中所述提供所述原子层沉积工艺还包括将堆叠件温度保持在150℃以下，并且其中所述特征的侧壁上的所述保护膜是非保形的且没有到达所述特征的底部；以及 c在所述等离子体处理室内至少原位重复一次a-b。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。