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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利开关元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101194.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权开关元件是由斋藤顺;片冈惠太;山下侑佑;渡边行彦;朽木克博;浦上泰设计研发完成，并于2019-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本开关元件在说明书摘要公布了：一种开关元件，具有沟槽型的多个栅极电极。半导体基板具有：n型的漂移区域，在各所述沟槽的底面以及侧面与栅极绝缘膜相接；p型的体区域，在所述漂移区域的上侧与所述栅极绝缘膜相接；p型的多个底部区域，配置于所述沟槽的正下方并且是从所述栅极绝缘膜离开的位置；以及p型的连接区域，将各所述底部区域与所述体区域连接。使相邻的所述底部区域之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离的一半比使体区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离以及使底部区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离长。

本发明授权开关元件在权利要求书中公布了：1.一种开关元件，其特征在于，具有： 半导体基板； 多个沟槽，设于所述半导体基板的上表面； 多个栅极绝缘膜，分别覆盖对应的所述沟槽的内表面；以及 多个栅极电极，分别配置于对应的所述沟槽内，并且通过对应的所述栅极绝缘膜与所述半导体基板绝缘； 所述半导体基板具有： n型的漂移区域，在各所述沟槽的底面以及侧面与所述栅极绝缘膜相接； p型的体区域，在所述漂移区域的上侧在各所述沟槽的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接； n型的源极区域，在所述体区域的上侧在各所述沟槽的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接，并且通过所述体区域从所述漂移区域分离； p型的多个底部区域，分别配置于对应的所述沟槽的正下方、并且是从所述栅极绝缘膜离开的位置；以及 p型的连接区域，将各所述底部区域与所述体区域连接； 各所述沟槽的下端的深度与所述体区域之间的间隔为距离L1， 各所述沟槽的下端的深度与所述体区域之间的范围内的所述漂移区域的n型杂质浓度为浓度N1， 各所述沟槽的下端的深度与各所述底部区域的上端的深度之间的间隔为距离L2， 各所述沟槽的下端的深度与各所述底部区域的上端的深度之间的范围内的所述漂移区域的n型杂质浓度为浓度N2， 相邻的所述底部区域之间的间隔为距离L3， 相邻的所述底部区域之间的范围内的所述漂移区域的n型杂质浓度为N3，满足如下关系： [式1] 以及 [式2]

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