富士电机株式会社唐沢达也获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910821904.3，技术领域涉及：H01L23/04；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由唐沢达也设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够将键合线可靠地接合于电极焊盘的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有电路基板5和壳体7，电路基板具有电极焊盘和在正面形成有电极焊盘的绝缘层4，壳体具备配置电路基板的配置区域7a而收纳电路基板。而且，在绝缘层的背面的与电极焊盘的正下方对应的第一区域4b形成有埋设接合材料6的凹部4c。因此，电极焊盘在正下方经由绝缘层和接合材料6可靠地与壳体接合。这样的半导体装置1a中，如果在电极焊盘的键合区域2b上配置键合线8并使用键合工具9通过超声波接合进行接合，则能抑制电极焊盘相对于由键合工具9引起的超声波振动的振动。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有电路基板和壳体， 所述电路基板具有包含用于与键合线接合的键合区域的电极焊盘和在正面形成有所述电极焊盘的绝缘层， 所述壳体具备配置所述电路基板的配置区域而收纳所述电路基板， 在所述绝缘层的背面中与所述电极焊盘的所述键合区域的正下方对应的第一区域或所述配置区域中与所配置的所述电路基板的所述第一区域对置的与所述键合区域的正下方对应的第二区域形成有埋设接合材料并且包含所述第一区域或所述第二区域的凹部， 所述凹部形成于与所述电极焊盘的键合区域的正下方对应的所述绝缘层的背面，或者形成于与所述电极焊盘的键合区域的正下方对应的所述壳体的所述配置区域， 所述凹部的宽度为所述键合区域的宽度的0.8倍以上且1.2倍以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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